意法半導體（STMicroelectronics,ST）推出S系列 1200V IGBT絕緣閘極雙極性電晶體。當開關頻率達到8kHz時，新系列的雙極元件擁有低導通及關斷耗損，大幅提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等相關設備的電源轉換效率。

新系列雙極元件擁有低導通及關斷耗損，大幅提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等設備的電源轉換效率。

新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓（VCE(sat)），可確保更低的電壓降與最小的功率耗損，從而簡化熱管理系統。此外，正VCE(sat)溫度係數結合緊密的參數分布，不僅大幅簡化了多個電晶體的平行設計，亦滿足更大功率應用的要求。極低的電壓過衝及關機零振盪現象（zero oscillation），讓電源廠商能夠使用更簡易的外部電路及更少的外部元件。

10μs最小短路耐受時間 (達攝氏150度初始接面溫度時) ，無鎖定（latch-up free operation）效應，擁有攝氏175度高接面溫度及寬廣的安全工作範圍。多項產品優勢實現了極強、穩健的耐用性與可靠性。

作為8kHz最高開關頻率硬開關拓樸的理想選擇，新款S系列採用第三代溝槽式場截止（trench-gate field-stop）型製程，使意法半導體1200V IGBT的M系列及H系列的市場佈局更加完整，M系列及H系列的產品定位分別在20kHz與20kHz以上的開關電源市場，而現在加入了新款Ｓ系列，這三大系列將成為常用開關頻率電源廠商針對先進、高能效IGBT元件的最佳選擇。

最新發佈的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個額定電流值，採用標準針腳或TO-247加長針腳封裝。全系列產品均內建最新款的穩流二極體（freewheeling diode），其擁有快速恢復與高恢復軟度，確保IGBT具有超低電磁干擾和導通耗損。