意法半導體(ST)近日宣布,推出全新高性能雙極功率電晶體系列的首款産品。新款產品集多種卓越性能於一身,包括高電流量(current capability)、集極至射極阻隔電壓(collector-emitter blocking voltage)及超低集極至射極飽和電壓(ultra-low collector-emitter saturation voltage),是LED驅動、馬達驅動和繼電器驅動模組以及DC-DC轉換器的最佳選擇。
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ST推出推出全新高性能雙極功率電晶體系列産品 |
3STR1630是一款採用最新低壓平面技術製造的NPN型電晶體。意法半導體在平面技術中加入雙金屬層製程,可將單元密度提高近一倍,而無需使用複雜的蝕刻設備。 除了將同一晶片上的電流量提高50%,雙金屬層製程並可為電晶體實現高達100V 的Vceo額定電壓、高達300kHz的工作開關頻率及有效降低40%的Vce(sat)電壓。