Qorvo今日宣佈推出採用表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封裝選項，Qorvo SiC FET可為車載充電器、軟切換DC/DC轉換器、電池充電（快速DC和工業）以及IT/伺服器電源等快速增長應用量身客制，能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益高功率應用提供更佳解決方案。

Qorvo針對電源設計擴展更高性能和效率750V SiC FET產品組合

Qorvo第四世代UJ4C/SC系列在650/750V時具有9mΩ之業內更低RDS（on），其額定值分別為9、11、18、23、33、44和60mΩ。這種廣泛選擇可為工程師提供更多元件選項，從而具有更高靈活性，以實現更佳成本/效率平衡，同時保持充足設計冗餘和電路牢固性。

利用獨特疊接式（cascode）SiC FET技術，其中常開型SiC JFET與Si MOSFET共同封裝以生成常關型SiC FET，這些元件可提供同類更佳 RDS x A品質因數，能夠以較小晶片實現較低傳導損耗。

Qorvo旗下UnitedSiC首席工程師Anup Bhalla表示：「D2PAK-7L封裝可降低緊湊型內部連接環路電感，與包含的Kelvin源極連接一起，可降低切換損耗，從而實現更高操作頻率和更高系統功率密度。

這些元件還採用銀燒結（silver-sinter）晶片貼裝技術，熱阻非常低，可透過標準PCB和帶液體冷卻IMS基板最大限度散熱。」

採用D2PAK-7L封裝新型750V第4世代SiC FET單價（1000片以上，美國離岸價）從UJ4C075060B7S的3.50美金到UJ4SC075009B7S的18.92美金不等。所有元件均可從授權經銷商處獲得。

Qorvo旗下UnitedSiC UJ4C/SC第4世代SiC FET系列能夠提供業內更佳性能品質因數，進而在更高速度下降低傳導損耗並提高效率，同時提高整體成本效益。