恩智浦半導體（NXP)於日前宣佈，針對高頻無線電應用推出一系列採用最新矽鍺（SiGe)製程技術開發的新產品。並預計在2010年底前推出超過50種採用矽鍺碳(SiGe:C) 技術之產品。該產品製程可提供高功率增益，和極佳的動態範圍，專為滿足現實生活中無線、寬頻通訊、網路和多媒體市場領域的高頻應用需求而設計。

恩智浦表示，目前已有十多種SiGe產品上市，採用其QUBIC4技術開發並銷售的RF產品已超過兩千五百萬件。該產品製程可讓無線設備製造商增加更多設備功能，同時可節省空間、及節約成本。其QUBiC4技術，可加快從GaAs技術至矽晶片技術的轉移速度，帶來低雜訊性能和IP可用性。

目前，恩智浦提供三種不同的QUBiC4技術：QUBiC4+是針對小於5GHz應用的矽製程，例如中功率放大器；QUBiC4X約於6年前推出，是一種0.25µm SiGe:C 製程，常用於高達30GHz和極低雜訊應用，例如GPS；最新推出的0.25µm QUBiC4Xi SiGe:C製程，特徵頻率（Ft）超過200GHz，特別適合30GHz以上，以及要求極低雜訊係數的應用，例如VSAT和雷達。

以QUBiC4技術為基礎的產品涵蓋行動平台、個人導航設備、主動式電子掃描陣列雷達、衛星DBS/-VSAT、電子計量設備、軟體無線電技術、基地台、點對點無線連接及無線區域網路(WLAN) 等領域，皆是高頻和高整合度相當重要的領域。終端用戶的獲益於在手機變得更小巧、更輕便的同時，仍能不斷地增加更多功能。