快捷半導體（Farichild）宣佈其MicroFET推出薄型封裝版本，以協助設計人員提升其設計性能。快捷半導體與設計工程師和採購經理合作，開發出了這款整合式P溝道PowerTrench MOSFET與肖特基二極體元件FDFMA2P859T。它是一款單一封裝（single-package）的解決方案，可滿足電池充電和功率多工（power-multiplexing）應用中對效率和熱性能的重要需求。

FDFMA2P859T

相較於傳統的MOSFET元件，FDFMA2P859T具有功率耗散和傳導損耗特性，且其封裝高度僅為0.55mm，比產業的標準0.8mm MicroFET降低了30%，適用於最新的可攜式手機、媒體播放器和醫療設備中常見的薄型設計。

Farichild表示，FDFMA2P859T是專為滿足客戶設計需求所開發的一款產品，在緊湊的占位面積中提供了出色的熱性能，並確保肖特基二極體在Vr=10V下保持1µA的極低反向洩漏電流（lr）。這些特性可大幅提升線性模式電池充電和功率多工應用的性能和效率。

FDFMA2P859T是快捷半導體廣泛的MOSFET產品系列中的一部分，此一系列的設計能夠滿足當今和未來設計對效率、空間和熱性能的需求。