瑞薩電子近日宣佈，推出最新第12代功率MOSFET產品RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA，為適用於一般負載點（POL）、基地台、電腦伺服器及筆電DC/DC轉換器中之功率半導體裝置。

瑞薩電子推出三款全新功率MOSFET，打造伺服器及筆電專用之高效能DC/DC轉換器。

上述新產品用以控制CPU及記憶體中的電壓轉換電路。例如，前述新款功率MOSFETs可用於降壓電路，將電池的12伏特（V）電壓轉換為CPU所使用的1.05V。由於製程加倍精細化，相較於瑞薩電子現有產品，新款MOSFET的品質因數（FOM，figure of merit；on-state resistance times gate charge）降低約40%，因此能在電壓轉換過程中減少功率損耗，達成高效率的DC/DC轉換器效能。

隨著伺服器、筆電及顯示卡等應用產品的效能逐漸提升，消耗功率也隨之增加。大勢所趨之下也促使各種元件以較低的電壓運作，例如CPU、繪圖處理單元（GPU）、記憶體、各種裝置及ASIC等，電流量隨之提高的同時也產生了新的需求，亦即DC/DC轉換器必須處理低電壓及大電流。

而另一項強烈需求，則是在電壓轉換過程中減少功率損耗並追求更高的效率，以藉此節約能源，降低環境衝擊。瑞薩電子透過目前業界中最高效能等級的新產品，擴充其低FOM功率的MOSFET產品種類，從容因應上述需求。

上述新產品中的耐壓（VDSS）為25V，其中的RJK0210DPA MOSFET可達到最大電流（ID）40安培（A）；RJK0211DPA為30A；RJK0212DPA則為25A。其FOM（典型值於VGS=4.5V）分別為6.84mΩ∙nC、7.83mΩ∙nC及7.2mΩ∙nC，相較於瑞薩電子現有的MOSFET約降低40%。

另外，上述新產品的閘-汲極電荷電容（gate-drain charge capacitance,Qgd，控制功率MOSFET之關鍵特性）分別為1.2nC、0.9nC及0.6nC，同樣約較瑞薩電子上一代功率MOSFET低了40%（使用相同導通電阻測量）。較低的數值意味著切換損失較少，也因此對於更高效率的DC/DC轉換器效能，以及更高的能源效率助益良多。

DC/DC轉換器是藉由兩個功率MOSFET運作，其中之一負責控制，另一個則負責同步整流，交互切換開與關以轉換電壓。將新款RJK0210DPA MOSFET用於控制，而將瑞薩電子第11代RJK0208DPA裝置用於同步整流，將12V電壓轉換至1.5V，在輸出電流為18A時，最大功率轉換效率為90.6%，在輸出電流為40A時，最大功率轉換效率為86.6%（以上數據皆以切換頻率300kHz及兩相組態為基礎）。

上述MOSFET新產品採用瑞薩電子的WPAK封裝，尺寸為5.1mm x 6.1mm，厚度則為0.8mm（最厚處）。上述產品的底部設有晶片銲盤（diepad），在功率MOSFET運作期間，能將熱傳導至印刷電路板，並確保功率MOSFET得以處理大電流。