士蘭微電子近日宣佈，推出新一代高壓MOSFET產品——F-Cell系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發所推出的第四代平面結構高壓MOSFET產品，工作電壓可以覆蓋400V—900V區間，工作電流在1A—18A之間，可以相容多晶穩壓管結構以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，導通電阻低，動態參數優等特點，已被廣泛應用於LED照明，AC-DC功率電源，DC-DC轉換器以及PWM馬達驅動等領域。

F-Cell產品採用了尺寸較小的保護環結構，這樣在相同規格的條件下，F-Cell產品具有相對較小的晶片面積，這一優勢能有效增加晶片的利用率且降低晶片的製造成本。F-Cell產品優化了柵氧化層的厚度和製程品質，提高了柵源擊穿電壓，從而提高了產品可靠性及穩定度；其突出表現在F-CellTM產品在經過HTRB可靠性試驗後，IDSS仍然可以維持在幾nA的高水準，這保證了F-Cell元件在長時間工作的高可靠性。

此外，F-Cell產品通過在設計及製程上的演進，優化了原胞結構，有效減小了JFET效應，使得器件的單位面積導通電阻有明顯減小，從而降低了器件的導通損耗；另外，通過對多晶柵進行重摻雜處理，提高了器件的回應速度，從而提高轉換效率及降低開關損耗。