Magnachip半導體發布四款新型 MXT LV 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)採用超短通道技術,擴展 Magnachip 用於行動裝置電池保護電路的第七代 MXT LV MOSFET 產品陣容。
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MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme溝槽低壓MOSFET):Magnachip的12~40V溝槽MOSFET產品組合 |
超短溝道是Magnachip的最新設計技術,通過縮短源極和漏極之間的溝道長度來降低Ron(MOSFET在導通狀態操作期間的電阻)。 新型 MOSFET 的 Ron 降低 24%~40%,提高了電池性能,並且在電池充電或放電時功率損耗較低。此外,Magnachip提供產品應用規格和電池容量的定制設計服務,MOSFET的尺寸可分別減小5%至20%。
憑藉技術能力、靈活的設計和緊湊的尺寸選項,擴展的 MXT LV MOSFET 系列可滿足從可折疊手機到無線耳機等行動裝置的各種技術要求。
Magnachip執行長 YJ Kim 表示:「Magnachip今年迄今已發布五款用於電池保護電路的新型 MXT LV MOSFET。我們將繼續打造優質 MOSFET,為行動裝置提供出色的功效和性能,以鞏固在市場上的地位。」