Diodes 公司日前推出了一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類型元件薄50%。同系列的另一款採用DFN2020E封裝的MOSFET具有0.5mm離板高度，較其他一般離板高度為0.6mm的MOSFET薄20%。

DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2

DMP2039UFDE4針對負載開關應用，為電路設計人員提供3kV的電路保護，以免被人體所發出的靜電放電所影響。這些最新推出的MOSFET擁有低典型RDS(on) 的特性，例如 -12V P通道的DMP1022UFDE，在4.5V的VGS下只有13mΩ，把電池充電應用的損耗減至最少。

20V N通道的DMN2013UFDE在DC/DC降壓和升壓轉換器內，達到理想的負載開關或者高速開關，並且提供一個2kV高靜電放電保護額定。DMN6040UFDE將會是首批採用DFN2020封裝的高電壓MOSFET之一，可在60V的VDS 下運作，並適合小型化(Small form-factor)工業及熱通風與空氣調節系統 (HVAC) 控制使用。

新產品特別適合薄型可攜式產品設計，例如智慧型手機、平板電腦和數位照相機。九款MOSFET的首批系列包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET和12V、20V及60V的 N通道MOSFET