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新型IDT混頻器降低失真 大幅節省電力消耗
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2014年11月12日 星期三

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IDT公司發表一款新型低失真、低耗電的射頻(RF)混頻器,將降低失真的射頻科技帶入LTE與TDD系統,同時將耗電降至最低。最新加入IDT快速成長系列射頻產品F1178,改善三階截取點達8dB,並且與同級混頻器相比降低耗電30%。

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IDT F1178為IDT的雙混頻器「零失真」系列產品之一,是一個高效能的混頻器供射頻(RF)至中頻(IF)用,設計用於單一的5伏特電源操作。將混頻器提至最佳化,供操作射頻頻寬從3300至3800MHz的接收器用。此晶片適用於基地台射頻卡、中繼器、分散式天線系統及微波後端設備。

極低耗電紓解了射頻卡上的散熱要求,並且超高的IP3可以允許具有高增益的前端設備。F1178提供使用恆定低阻抗電源啟動的快速設置,讓客戶在TDD Rx插槽之間關閉混頻器電力,進一步降低耗電。

IDT的無線產品定位與行銷資深處長Chris Stephens表示,將雙混頻器系列加入此產品,提供給快速部署3.5GHz頻寬解決方案之要求高性能的客戶。藉著這個超低IM3失真,F1178可以大幅增進射頻卡的性能。Chris Stephens表示:「藉著F1178雙混頻器,客戶可以使用較高的射頻增益,操作他們的系統來改善訊號雜訊比,而仍然維持優異的IM3失真,就像是他們在較低頻率的頻寬上使用我們的混頻器所做的一樣。」

上述元件已提供合格客戶試樣。(編輯部陳復霞整理)

產品特色

‧超過44dB優異的通道隔離

‧供TDD系統用的快速設置降低電力模式

‧射頻範圍從3300至3800 MHz供42與43頻寬用

‧9.0 dB增益

‧超線性+38 dBm三階截取點

‧低雜訊數字9.0 dB(NF)

‧200歐姆輸出阻抗

‧高 +10.7 dBm P1dBI

‧插銷與IDT較低頻率的雙混頻器相容

‧低耗電,低於1.4瓦

關鍵字: 射頻混頻器  RF  LTE  TDD  IDT  無線通訊收發器 
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