帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR推出新型D類音頻功率放大器參考設計
 

【CTIMES/SmartAuto 陳果樺報導】   2007年07月02日 星期一

瀏覽人次:【2519】

國際整流器公司(International Rectifier)推出D類音頻功率放大器參考設計IRAUDAMP4。與典型的線路設計相比,新型的參考設計讓設計人員為適用於家庭影院應用、專業揚聲器、樂器和汽車娛樂系統的所有屬中壓範圍的中及高功率放大器,節省百分之五十的PCB板佔位面積。

新型D類音頻功率放大器參考設計
新型D類音頻功率放大器參考設計

IR台灣分公司總經理朱文義表示:「藉著在60瓦特、4歐姆底下提供0.004%的THD+N,這種參考設計顯示出IR先進的矽技術讓用戶可由D類拓樸獲得最佳的音頻效能。」

與IR的200伏數位音頻驅動IC IRS20955和IRF6645 DirectFET數位音頻MOSFET配合使用的IRAUDAMP4參考設計,屬於2通道、120瓦特半橋設計,在120瓦特、4歐姆下達致96%的效率。有關設計也結合了多種關鍵保護功能,包括過電流保護、過電壓保護、欠壓保護、直流電保流、過熱保護等。新設計亦提供管家功能,例如為前置放大器的模擬訊號處理而設的+/- 5伏供應,以D類閘驅動階段的-B作參考的12伏供應 (Vcc)。這個2通道設計可按功率及通道的數目擴展,並能在一般運作情況下無需使用散熱器。

新參考設計基於的IRS20955(S)(TR)PbF音頻驅動IC設計,備有特別為D類音頻放大器應用而設的浮動PWM輸入。其雙向的電流感應可在無需外置分流電阻的情況下,於正及負負載電流中偵測過電流狀況。內置的保護控制模塊提供可編程重設計時器,以及安全的保護程序,防止過電流發生。內置的空載時間建立模塊則有助設定準確的閘開關和最佳的空載時間設計,提供更佳的音頻效能,例如較低的總和諧失真 (THD) ,以及較低的音頻底噪。

關鍵字: IR  朱文義  訊號轉換或放大器 
相關產品
IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝
IR推出電池保護應用MOSFET系列
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻
IR為高功率工業應用推出新IGBT模組系列
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力
» 國科會促產創共造算力 主權AI產業專區落地沙崙
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.144.114.8
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw