瑞薩電子宣佈，將專為網路設備，包括新一代Ethernet標準（100GbE）以上之交換器及路由器，推出1.1 Gb記憶體裝置。新款的網路記憶體裝置，在單一晶片中結合了低耗電量、超大容量及高速傳輸等特色。

瑞薩電子已開發出能夠達到更高容量及速度，同時能利用獨特處理及電路技術節省耗電量的新記憶體裝置。

新的網路記憶體裝置是採用瑞薩電子的40-nm eDRAM技術製造，並加上了為開發高速記憶體裝置而設計出的電路技術。相較於瑞薩電子現有的低延遲DRAM產品，新網路記憶體裝置的記憶體容量提升了四倍（1.1Gb），隨機循環效能亦提升了30%，高速資料讀寫可達13.3毫微秒（ns），且最大運作頻率亦提高一倍至800MHz。儘管產品已經過上述改良，卻仍能維持在2瓦（W）的低耗電量。

為了能在穩定的情況下，操作36位元資料輸入／輸出(I/O)的800-MHz DDR（雙倍資料速率）介面，瑞薩電子也降低了供應1.0V電源的I/O電路電壓，並採用高壓側終端（在顯示卡記憶體裝置的效能方面頗受肯定），以便能穩定地運作。新網路記憶體裝置提供的多樣化功能，可自整合輸入訊號針腳之晶片終端裝置的可程設訊號終端電阻（on-die termination）開始，確保運作的可靠度。

其他功能尚包括可減少資料輸出雜訊的資料轉換功能、終端產品製造商可用於調整個別訊號針腳訊號輸入／輸出時間偏差的「per-bit deskew」（每位元校準）功能，以及可在印刷電路板上使用摺疊式安裝時，輕易控制布線長度的鏡像功能。

由於運作頻率提高，瑞薩電子將同一結構組件電源供應器的pin腳數量，增加至38pin腳，與現有產品使用的11x18.5 mm規格封裝相同結構，但組件尺寸仍維持在14x18.5mm。系統設計人員可採用新產品布建可靠的系統，無需擔心印刷電路板設計階段的電子特性問題。