硅统集团子公司联巨科技(LinkVast)宣布推出国内首款可外挂式DRAM的固态硬盘控制器 (SSD Memory Controller) LVT820和LVT815芯片，其符合笔记本电脑硬盘及桌面计算机标准固态硬盘的规格需求。

联巨科技推出首款可外挂式DRAM的SSD制器芯片

LVT820和LVT815芯片采用SATA II接口设计，最高传输速度可达3Gbps，分别提供八信道(64位/64CE)及四信道(32位/32CE)的内存架构模式，适合制造成各种规格和容量的SSD固态硬盘；支持高达十六位除错修正码技术(16-bit ECC technology)的机制设计，能有效提升闪存的容错率；而此款芯片拥有动态及静态均匀抹除写入技术，能延长固态硬盘的使用年限。另外，LVT820和LVT815芯片使用闪存接口设计，能支持各闪存晶圆厂所提供的SLC&MLC闪存。联巨科技表示，其外挂式DRAM架构的设计，能有效提升读写效能，与非外挂式DRAM的控制器芯片相较，在随机写入(Random Write)效能上，有高达100~200倍的差异；并且不会产生在操作系统做多任务处理时可能发生系统停顿的现象。

联巨科技针对此款芯片采用0.11um先进制程与LFBGA绿色环保封装技术，并就其应用产品-闪存的固态硬盘(SSD)提出了具备零噪音、低功耗、体积小、重量轻、防震、高读写速度及寿命长等优异特性保证。