安捷伦科技日前发表了两款新的GaAs晶体管，它们均采用公司的MiniPak迷你无引线封装。这些GaAs晶体管主要用于PC适配卡及基地台接收器的设计。安捷伦MiniPak的尺寸只有1.4 mm x 1.2 mm x 0.7 mm，使用的电路板空间比2.1 mm x 2.0 mm x 0.9 mm大小的传统SC-70封装少了60%。Agilent ATF-551M4的应用包括802.11a或802.11b无线LAN PC适配卡，2.4 GHz、3.5 GHz和UNII（5 GHz）频带内的固定无线基础架构，以及必须使用最小组件的手机。而Agilent ATF-331M4组件，则特别适合作为基地台接收器的低噪声放大器使用。

安捷伦表示，400微米的ATF-551M4是一个单电压的E-pHEMT(1) GaAs FET(2)，不需要使用负闸偏压电压就能操作。这个组件具备了低噪声的优异效能（在450 MHz至6 GHz的频率之间，最低的噪声指数 [Fmin] 小于1 dB），而且耗电量小，非常适合用作2至10 GHz频率范围内的无线接收器应用所需的低噪声放大器（LNA）。

ATF-551M4在2 GHz频率下（2.7 V，10 mA）典型的低电流效能为0.5 dB的噪声指数，+24.1 dB的第三级输出截距点（OIP3），在1 dB增益压缩下达+14.6 dBm的输出功率（P1dB），以及17.5 dB的相关增益。在5.8 GHz的频率（2.7 V，10 mA）下，此晶体管可提供0.9 dB的最低噪声指数（Fmin），+24.5 dBm的OIP3，+14.3 dBm的P1dB，以及12 dB的相关增益。

1600微米的ATF-331M4是采用安捷伦先进制程的双重电压PHEMT。这个组件兼具了高线性度与低噪声指数的特性，是专为第一或第二阶段的基地台LNA设计而优化的。在2 GHz的频率（4 V，60 mA）下，典型的效能为0.6 dB的NF，+31 dBm的OIP3，+19 dBm的P1dB，以及15 dB的相关增益（Ga）。

E-pHEMT是针对无线通信应用而优化的半导体制程。所有其他的砷化镓（GaAs）、金属半导体场效晶体管（MESFET）、以及高电子移动晶体管（HEMT）组件，都必须使用正电压来操作，但仍需要用到负闸电压来控制。用来提供负电压的组件会增加系统的成本、占用宝贵的电路板空间、且需要额外的设计。E-pHEMT技术的优点，就是只需要一个正的电压就够了。