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IR推出一系列HEXFET功率 MOSFET组件
针对个别电子拓朴技术需要 提升DC-DC转换器的运作效率

【CTIMES/SmartAuto 王意雯报导】   2000年12月22日 星期五

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国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR),致力于提升特定隔离式及降压式DC-DC转换器的运作效率,特别针对个别电子拓朴技术需要,推出一系列HEXFET功率 MOSFET组件。

全新100V IRF7473组件采用SO-8封装,适用于48V输入、1.6V输出和60A双阶段隔离式转换器的初级运作,及全桥式配置。IRF7473特别针对低组件导通电阻及低闸电荷进行优化,提升0.4﹪的运作效率,远胜市场上同类型产品。此外,配合IR最新的IRF7822同步整流MOSFET,其峰值额定效率更将高达90﹪。

IR公司台湾区总经理朱文义表示:「制造商开始把更多电池组,装进笔记本电脑,使总线电压提高至28V。由于原始电池电压以功率层形式分布于系统内,并透过负载点调节至所需电压,传统的30V MOSFET已无法满足这种应用。因此,要发挥完善的系统保护,防范电压尖峰,我们需要额定电压达40V的MOSFET。而全新SO-8型40V HEXFET MOSFET,正可配合笔记本电脑中的28V总线。」

IR全新的40V组件可让设计人员选用两种控制MOSFET - IRF7468和IRF7469,以及两种同步MOSFET – IRF7470及IRF7471。采用IRF7468及IRF7470的同步降压拓朴技术,将为300KHz的28V输入、1.3V输出转换器,带来高达82﹪的效率。

此外,IR还可提供四种额外的MOSFET,包括IRF7453、IRF7450、IRF7451及IRF5801。它们经过优化处理,能大幅降低导通电阻,同时将闸电荷维持在最低水平。四种MOSFET皆适用于30W以下的48V输入、动态和被动重设、初级隔离式DC-DC转换器。

關鍵字: 国际整流器  朱文义  电压控制器 
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