功率半导体及管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出一款新型的20V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组。IR表示，这对IRF6610和IRF6636小型罐式DirectFET MOSFET，性能可媲美一对SO-8 MOSFET，但体积却减少了40%，最适用于对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(Point-of-load，简称POL)设计。

/news/2005/08/08/1900301164.jpg

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「在12V计算机运算系统中，IRF6610和IRF6636芯片组最适用于可支持5V至1V的以下输出电压的高密度15A POL转换器。以一个500kHz POL转换器为例，若装设了这款芯片组，便能在1.5V下提供15A输出电流，展现大于88%的效率。」

IRF6610的闸电荷低至10nC，能把开关损耗减至最低，达到最佳的控制场效应管(FET)功能。IRF6636是一款多功能的DirectFET功率MOSFET，组件的通态电阻为4.5mOhm，闸电荷低至18nC。它可耦合IRF6610，成为专攻15A应用的同步场效应管；又可配合IRF6691组成控制场效应管，适用于每相位35A的多相位应用。IRF6636/IRF6691芯片能在POL模块等应用中体现更高密度，取代多达4个热强化型SO-8 MOSFET组件。

IR指出，IR的专利DirectFET MOSFET封装融合了一系列前所未见的新设计优点，而非目前标准的塑料分立封装所能提供。当中的金属罐状结构可提供双面冷却，有效把驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力提高1倍。此外，DirectFET封装内的组件皆符合「电子产品有害物质限制指令」(RoHS)。