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【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2008年04月02日 星期三

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南亚科技宣布其1066MHz DDR3 So-DIMM笔记型记忆模块已获得Intel Centrino 2 行动运算平台认证。

南亚科技1066MHz DDR3 So-DIMM笔记型记忆模块
南亚科技1066MHz DDR3 So-DIMM笔记型记忆模块

南亚科技全球业务营销副总经理暨发言人白培霖博士表示:「南亚科技低耗电DDR3笔记本电脑专用内存能获得英特尔认证,足以证明南科DDR3优异的运算及绘图表现,已为日益成长的笔记本电脑市场提供最佳的内存解决方案。」

英特尔公司数字企业事业群产业计划与策略规划部门总监Ali Sarabi表示:「英特尔2008年即将推出的行动运算平台,将搭载新一代高宽带低耗电量DDR3内存,我很荣幸南亚科技DDR3 So-DIMM笔记型内存模块能通过英特尔的测试。」

南亚科技1066MHz DDR3 So-DIMM笔记型记忆模块可支持PC3-6400到PC3-8500,使用时序为7-7-7,将能有效强化英特尔Intel Centrino 2 行动运算平台。此外,作为一专业的内存解决方案,南科DDR3的设计符合大量绘图及高传输速率的需求,因此能加快中央处理器信息传输的速度,所以每一条高效节能的南科DDR3内存模块,皆能满足专业玩家对极致效能的追求。此次通过认证之DDR3 So-DIMMs笔记型记忆模块是以 DDR3 1Gbit为基础组件,由南亚科技和其合作伙伴奇梦达共同开发。

關鍵字: DDR3  记忆模块  笔记本电脑  南亚科技  Intel  奇夢達  白培霖  动态随机存取内存  内存模块 
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