意法半导体（ST）于日前宣布，推出一款高性能功率封装，这项新技术提高该公司最新的MDmesh V功率MOSFET技术的功率密度。

意法半导体推出一款全新高性能功率封装

此高度1mm的新型表面黏着封装，将TO-220工业标准芯片尺寸置于面积仅8x8mm的无针脚封装内，并具备裸露的金属汲极接垫，可有效排除内部产生的高温。该产品体积可让设计人员设计出更轻薄的电源供应器外壳。

目前已经有两家公司采用此新标准：意法半导体和英飞凌公司将推出采用此创新封装方式的MOSFET，分别命名为PowerFLAT 8x8 HV（意法半导体）和ThinPAK 8x8（英飞凌）。

意法半导体功率晶体管産品部营销总监Maurizio Giudice表示，这项新开发的高性能封装技术证明ST与英飞凌的合作成绩斐然，使ST的客户可以获得先进应用设计和全球两大功率半导体厂支持芯片封装。这项具有突破性的封装技术结合意法半导体独有、业界最先进的MDmesh V制程，ST的全新MOSFET产品将提供同等级额定电压産品中最高的功率密度和效能。