全球高效能半导体解决方案供应商Fairchild推出FDMQ8205,强化其GreenBridge主动桥式四MOSFET 技术;FDMQ8205 是新一代GreenBridge 系列的首款产品,适用于透过乙太网路供电(POE) 获得电源的各种应用,例如监控摄影机、无线存取点、LED 照明及供电装置(PD)。设计人员可利用 GreenBridge 解决方案的 Rdson 效能、超精巧尺寸,以及卓越的散热效能,降低装置的作业温度、提升效率及缩小解决方案尺寸。
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GreenBridge 在散热、效率及大小方面均优于 POE PD 使用的二极体。 |
先进的 GreenBridge 技术遵循 IEEE 802.3at 标准,耗电量比萧特基二极体低上 10 倍。散热效能可协助设计人员减少或消除散热片,以简化产品设计、降低 BOM 成本,并缩小 PCB 尺寸。
快捷智慧电源FET 部门副总裁Suman Narayan 表示:「热能问题一向是关键的设计挑战,对需要25.5W 以上的新一代物联网装置而言更是棘手。本公司最新GreenBridge 装置采用先进的MOSFET 技术,协助设计人员消除过多热能,并达成其他设计目标,包括提升效率、确保遵循标准、缩小整体尺寸及降低成本。」
新一代 GreenBridge 系列极低的导通损失是另一项重要优势,因为对输入功率有限的 POE 系统而言,必须提供最高的功率及电压。 GreenBridge 系列具备最佳化的 Rdson 效能,采用最佳化的 PowerTrench MOSFET 技术,提供功率转换效率,导通损失比最接近的竞争对手低 47%。
GreenBridge 装置尺寸精巧,也适合用于需要比之前产品更小的新款 POE 型装置。 GreenBridge 装置仅 4.5 mm x 5 mm,以全桥连接的 MLP 封装容纳四个 MOSFET。 GreenBridge 装置不需要使用外接驱动器,可节省额外的 PCB 空间,进一步发挥本身尺寸精巧的优势。新款 FDMQ8205 即日起可量产供货。 (编辑部陈复霞整理)