ST日前发布一款带有嵌入式压控振荡器(VCO)的多频带RF合成器STW81100。透过ST RF设计经验,以及采用ST世界级的BICMOS硅锗(SiGe)制程技术,ST的设计人员已经开发出能大幅减少总材料列表(BOM)成本,且尺寸更小的整合型产品。新组件是ST一系列内含PLL与VCO之高整合度RF解决方案的第一款产品。
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STW81100是一款带有VCO的多频带整合式RF合成器,适用于无线通信与测试设备系统。STW81100具有高效能、高整合度、低功耗、多频带能力等特色,是一款将PLL与VCO整合在内的低成本单芯片解决方案,过去的标准方案需要两颗芯片,不仅尺寸大且非常昂贵。另外,由于单芯片STW81100强化了可靠度、减少了电路板面积与外部分离式组件使用量,因此也能减少间接成本,是一款极具成本/效能比的解决方案。
STW81100内含一个整数-N(Integer-N)频率合成器以及两个完整的内建式VCO,具有极低的相位噪声效能,最低噪声基准(noise floor)为-153dBc/Hz。其频率范围极广的整合式VCO(其中心频率测量结果超过32个子频带),以及多重输出选项(如直接输出、分割为2或分割为4个输出),都能让合成器覆盖从820MHz-1,100MHz、1,640MHz-2,200MHz以及3,280MHz-4,400MHz等频带范围。STW81100还能以IP单元形式供货,进一步拓展了ST的RF ASIC智财权(IP)产品线。
ST无线基础架构部门RF技术营销经理Guillaume Pertinant表示:“ST从手持电话到电信基础建设领域的强大RF设计能力与市场领先地位,已经转化为能满足当前制造商对更低BOM成本与更小芯片尺寸两大主要诉求的一系列产品线。”