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Fairchild推出双MOSFET解决方案
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2009年07月08日 星期三

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快捷半导体(Fairchild Semiconductor)为设计人员带来的双MOSFET解决方案FDMC8200,可为笔记本电脑、小笔电(netbook)、服务器、电信和其他DC-DC设计提供更高的效率和功率密度。

双MOSFET解决方案FDMC8200
双MOSFET解决方案FDMC8200

该组件在3mm x 3mm MLP模块中整合了经优化的控制(高侧)和同步(低侧)30V N沟道MOSFET,二者均使用专用的高性能PowerTrench 7 MOSFET技术,提供出色的低RDS(ON)、整体的栅极电荷(QG)和米勒电荷(QGD)。这些性能可将传导和开关损耗减到最小,从而带来更高的效率。FDMC8200高侧RDS(ON)通常为24mOhm,低侧则为9.5mOhm,可提供大于9A的电流供主流计算应用,而经优化的引脚输出和占位面积,为布局和布线带来了便利性,并简化设计。

FDMC8200藉由先进的封装技术和专有的PowerTrench 7制程,在节省空间的同时,热性能也提升了,从而解决DC-DC应用的主要设计难题。采用紧凑型高热效的3mm x 3mm Power33 MLP封装和PowerTrench 7技术,其本身能够提供高功率密度、高功率效率和出色的热性能。

这款双MOSFET器件是快捷半导体广泛的先进MOSFET技术产品系列中的一部分,全系列产品均拥有广阔的击穿电压范围和现代化的封装技术,同时实现高效的功率管理和低热阻的特点。同系列其他产品包括整合有FET模块的FDMS9600S 和FDMS9620S器件,同样能够显著地节省电路板空间,并提升同步降压设计以达到更高的转换效率。

關鍵字: MOSFET技術  Fairchild 
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