英飞凌(Infineon)近日发表,已于奥地利菲拉赫(Villach)据点生产出首款300毫米薄晶圆之功率半导体芯片(first silicon),成为全球首家进一步成功采用此技术的公司。采用300毫米薄晶圆生产之芯片的功能特性,与以200毫米晶圆制造之功率半导体相同,已成功通过在高压应用产品中使用金氧半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的应用测试证明。
英飞凌董事会成员,负责运筹、研发及劳方主管Reinhard Ploss博士表示,英飞凌工程师的成就,代表生产技术的大跃进。创新奠定了获利成长的基础,也确保该公司的竞争优势。
2010年10月,英飞凌已在奥地利菲拉赫着手设立300毫米晶圆及薄晶圆技术的功率半导体前导生产线。目前该团队拥有50名工程师和物理学家,来自研究、开发、制造技术及市场营销等各个领域。