账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR 200伏IC 适用于低压及中压马达驱动应用
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2007年05月19日 星期六

浏览人次:【6683】

功率半导体和管理方案厂商–国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出一系列200伏 IC,适用于低压及中压马达驱动应用,包括功率工具、低压伺服驱动系统、电力园艺设备,以及像起重车、高尔夫球车和滑板车等电动车。

IR 200伏IC
IR 200伏IC

IRS200x半桥、高侧和低侧驱动IC系列是为低压(24伏、36伏和48伏)以及中压(60伏、80伏和100伏)马达驱动应用而设计,包括三相位直交流转换器和半桥。这个系列拥有欠压闭锁(UVLO)保护作为标准功能,同时IRS2003和IRS2004也具备停滞时间保护功能。此外,IRS2004具备停机输入接脚。这些崭新200伏IC提供低静态电流,让高侧电路可以拥有低成本的启动电源供应,省去基于离散光耦合器或变压器的设计所典型要求的大型和昂贵辅助电源供应,使它们能适用于占位少的低压应用。

IR台湾分公司总经理朱文义表示:「为满足较低压应用的需求,IR在600伏和1200伏 HVIC系列之外增添了这些坚固的新200伏组件。当配合我们的独立高侧和低侧驱动IC以及DirectFET MOSFET,这种具成本效益的系统方案将可在紧密占位环境下提供高功率密度和低热耗散,以面对三相低压马达驱动设计的挑战。」

IRS200x组件提供8接脚SOIC和DIP封装,闸极电压(Vout)可达至20伏,典型导通电流(Io+)为290微安,典型关断电流(Io-)为600微安,并接纳3.3伏、5伏和15伏的输入逻辑位准。新的200伏组件采用IR先进的高压IC制程,融入了新一代高压电平位移和IC终端技术,提供卓越的电力过应保护和更高的场效可靠性。

關鍵字: IR  电子逻辑组件 
相关产品
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装
IR推出电池保护应用MOSFET系列
IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻
IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列
IR推出75V MOSFET具有极低导通电阻
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» 严苛环境首选 - 强固型MPT-7100V车载电脑
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BU3XI72MSTACUK5
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw