Diodes公司宣布推出新款双向瞬态电压抑制器(TVS)二极体,以满足市场妥善保护高速资料连接埠的需求。D3V3Z1BD2CSP以满足保护静电放电(ESD)冲击和突波事件。这款产品的主要应用为高效能运算硬体、智慧型手机、笔记型电脑和平板电脑、显示器及游戏机的I/O连接埠。
|
Diodes公司宣布推出新款双向瞬态电压抑制器(TVS)二极体,以满足市场妥善保护高速资料连接埠的需求。 |
虽然许多竞争产品必须在设计上做出折衷,择一选择强大的突波保护特性或低输入电容,D3V3Z1BD2CSP可以同时提出这两项优点。它极低的电容值(典型值为0.3pF)不会干扰或妨碍高速资料通讯,确保维持讯号完整性。
它的高峰值脉冲电流(典型值10.5A)和低箝位电压(5.3V)保障I/O连接埠及其敏感的电子零件,不会受到瞬态电压的影响。因此避免了频繁热??拔等活动造成电性过度应力损害的风险。D3V3Z1BD2CSP符合IEC61000-4-2抗扰性标准,对±20kV空气和接触放电提供强大的ESD保护,藉此提高系统可靠性。
D3V3Z1BD2CSP可用於保护I/O介面,如USB Type-C、DisplayPort、HDMI和SD卡,承载的高速资料传输速率达20Gbps。-55?C到+150?C的作业温度范围,在具有挑战性的产品应用环境中也能确保持续保护。
Diodes的D3V3Z1BD2CSP TVS采用极精巧的DSN0603晶圆级晶片尺寸封装,尺寸仅为0.6mm x 0.3mm x 0.3mm。