Diodes 公司于日前宣布，推出第一批使用DIOFET专利制程开发的产品，这种制程技术把一个功率MOSFET和反向平行Schottky二极管结合于单一芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 组件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低边MOSFET位置，有助于提高效率，同时减少高容量运算、电信和工业应用中快速开关PoL 转换器的操作温度。

Diodes新组件可提高负载点转换器效率和可靠性

在10V 的Vgs电压下，DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的导通电阻值分别只有10mΩ 和8.5mΩ。它们能够把传统上与低边MOSFET相关的传导损失减至最低。同时，DIOFET整合Schottky二极管的顺向电压，较同类型的MOSFET或Schottky二极管低25%，也较典型MOSFET的本质二极管低48%，因而减少开关损耗、提高效率。

DIOFET 整合Schottky二极管拥有低反向恢复电荷(QRR)，以及更软性的逆向恢复特点，能够进一步减少二极管的开关损耗。在基准检验中，DIOFET 的操作温度较其他运算方案低5%。MOSFET 的接合温度每降低10oC，DIOFET的永久可靠性便增加一倍，大幅提升PoL 转换器的可靠性。