三星电子（Samsung）今（24）日宣布，开始量产运用40奈米级制程技术完成的低功耗（节能）4 gigabit（Gb）DDR3产品。此高密度内存将为数据中心（data center）、服务器系统与高阶笔记本电脑节省相当显著的功率。

三星的40奈米级技术节能DDR3是为了服务器产品而进行优化，以提升其能源效率的等级，得以遵循、甚至超越新的能源之星（Energy Star）功耗规定。4Gb DDR3的量产可提高服务器使用内存的总量至每一模块32GB，是基于2Gb组件的模块密度最高值的两倍。随着4Gb DDR3开始量产，三星计划将90%以上的DDR DRAM改由40奈米级制程技术生产，以提供三星客户当今最低成本的DRAM组件。

三星电子表示，服务器在一颗CPU状态下可装设平均6个RDIMM插槽，容纳高达96GB DRAM，功耗会因为组件特色而有所不同。一个基于60奈米级技术的1Gb DDR2模块会消耗210W，而基于40奈米级技术的2Gb DDR3模块可节省约75%功耗，只消耗55W，然而，全新的40奈米级技术4Gb DDR3模块则可省下高达83% 功耗，仅仅消耗36W。随着对于数据中心能源成本的日趋重视，这些内存省下的功率等同于减少服务器整体系统10%的功耗。

透过应用三星的40奈米技术4Gb DDR3模块到现存的服务器系统，DRAM密度可增加至少两倍，系统使用寿命可被显著延长并进而减少新系统的投资。此4Gb DDR3可将SoDIMM的密度提升至8GB，这促使一个系统层级密度在2个插槽状态下可达到16GB，在4个插槽状态下可达到32GB，得以满足对具备先进显示功能之高效能笔记本电脑的市场需求。

全新的4Gb DDR3可同时支持1.5V与1.35V规格，现在已供货的内存模块包含16GB与32GB RDIMM，以及具备每秒1.6Gb效能的8GB SoDIMM内存模块。