半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN^™产品GaN HEMT，被日本先进电子元件、电池和电源制造商村田制作所集团旗下Murata Power Solutions的AI（人工智慧）伺服器电源所采用。ROHM的GaN HEMT具有低损耗工作和高速开关性能，助力Murata Power Solutions的AI伺服器5.5kW输出电源产品实现小型化和高效工作。预计於2025年开始量产。

650V耐压、TOLL封装的GaN HEMT有助进一步提高电源效率

近年来随着AI（人工智慧）和AR（扩增实境）等在IoT领域的发展，资料通讯量在全球市场呈现持续增加的趋势。其中，使用AI进行一次查询所消耗的电量，据说比一般网页搜索要高出数倍，因而需为处理该查询的高速运算设备等供电的AI伺服器电源进一步提高效率。另一方面，具有低导通电阻和高速开关特性的GaN元件因有助电源的高效工作和周边元件（如电源电路中使用的电感等）的小型化而备受瞩目。

Murata Power Solutions Technical Fellow Dr. Joe Liu 表示：

很高兴透过ROHM的GaN HEMT，使我们能够设计出具有更高效率和更高功率密度的AI伺服器电源产品。利用GaN HEMT的高速开关工作、低寄生电容以及零反向恢复特性，可将对开关损耗的影响控制到最小，还可提高开关转换器的工作频率并削减磁性元件的尺寸。ROHM的GaN HEMT在性能方面非常具有竞争力，可靠性也很高，运用在我们的AI伺服器5.5kW输出电源产品中，效果非常好。今後我们将继续与在功率半导体领域具有显着优势的ROHM合作，努力提高各电源产品的效率，为电力供需吃紧等社会课题的解决做出贡献。

ROHM LSI事业本部 Power Stage商品开发部 部长 山囗 雄平 表示：

ROHM的EcoGaN^™能够被电源领域的全球领导者Murata Power Solutions的AI伺服器电源产品所采用，我们深感荣幸。这次采用的GaN HEMT具有领先业界的开关性能，而且使用的是散热性优异的TOLL封装，有助Murata Power Solutions的电源产品实现更高功率密度和更高效率。另外在「以电子产品为社会做出贡献」方面，Murata Power Solutions与ROHM的经营愿景是一致的，我们希??今後也可以继续与村田制作所合作，共同促进电源小型化和效率提升，为人类丰富多彩的生活贡献力量。

关於Murata Power Solutions的AI伺服器电源产品

Murata Power Solutions的AC-DC电源「1U前端」系列产品，包括高功率密度Short Version的M-CRPS封装3.2kW电源「D1U T-W-3200-12-HB4C」（输出12V版）和「D1U T-W-3200-54-HB4C」（输出54V版） ，另外还新增了AI伺服器用的5.5kW「D1U67T-W-5500-50-HB4C」等产品。Murata Power Solutions的前端电源的转换效率极高，可满足80 Plus Titanium和开放计算产品的最严格要求；另外还支援N+M冗馀工作，可提高系统可靠性，因此也适合为最新的GPU伺服器供电。除了能够为伺服器、工作站、储存系统和通讯系统提供高可靠性且高效率的电力，其高度较低的1U尺寸还有助减少系统面积。

关於ROHM的EcoGaN^™

EcoGaN^™是透过大幅优化GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN元件。该系列产品有助应用产品进一步降低功耗、实现周边元件小型化、减少设计工时和元件数量。