手機快閃記憶體解決方案供應商意法半導體（ST），宣佈推出65nm PR系列NOR快閃記憶體產品。基於第四代multi-level cell（MLC）技術，65nm PR系列快閃記憶體的軟硬體可完全相容於現有的90nm PR系列NOR快閃記憶體，並提供更高的記憶體容量和更佳的性能，為客戶提供一條簡單的系統升級途徑。

65nm PR系列NOR快閃記憶體

為滿足行動應用市場對高解析度相機、多媒體內容和快速網際網路連結的需求，ST新推出的65nm PR系列產品的burst讀取速度可達133MHz，編程速度可達每秒1.0-Mbyte，並採用1.8V工作電壓提供deep power down模式。這個先進的NOR快閃記憶體系列產品與LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND以共享bus或分隔bus的配置組裝在一起，並採用多晶片封裝（Multi-Chip Package, MCP）和層疊封裝（Package–on–Package,PoP）的封裝技術。