意法半导体推出之MDmesh DM6 600V MOSFET具备一个快速恢复二极体，将最新超接面（Super-Junction）技术的性能优势导入全桥和半桥拓朴、零电压切换（Zero-Voltage Switching，ZVS）相移转换器等的拓朴结构里通常需要一个稳定可靠的二极体来处理动态dV/dt的应用。

意法半导体推出快速恢复的超接面MOSFET

MDmesh DM6 MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复时间（trr），最大限度地降低续流後关断期间二极体的耗散功率。优化的软性恢复增加了产品的可靠性。此外，极低的闸极电荷（Qg）和导通电阻（RDS(ON)）以及针对轻负载优化的电容曲线，使应用能够带来更高的工作频率和效能，并简化散热管理设计和降低EMI干扰。

这些新元件适用於电动车的充电桩、电信设备或数据中心电源转换器，以及太阳能逆变器等，更稳定的性能和更高的功率密度让应用设计的电力额定叁数更加优异。