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Diodes推出12V新型P信道MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 蕭惠文报导】   2011年12月15日 星期四

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Diodes日前推出12V微型P信道强化型MOSFET—DMP1245UFCL,有助于提升电池效率和减少电路板空间,并满足空间受限的可携式产品设计要求,如智能型手机和平板计算机等。

Diodes12V微型P信道强化型MOSFET以精密封装,降低传导损耗。
Diodes12V微型P信道强化型MOSFET以精密封装,降低传导损耗。

这款新MOSFET采用超精密和高热效率的DFN1616封装,并具有极低的导通电阻(RDS(on)),能把传导损耗降至最低,以延长电池寿命。例如在VGS为4.5V的条件下,该MOSFET的导通电阻只有29mΩ,有利于电源中断及一般负载开关的应用。

DFN1616的标准离板高度为0.5毫米,并仅占2.56平方毫米的PCB面积。同时,DMP1245UFCL为用户提供防静电放电(ESD)的增强保护。这款MOSFET的额定闸极保护为3kV,因此对人为产生的静电放电所造成的影响有抵御作用。

關鍵字: MOSFET  Diodes 
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