天科合达实现了3英寸SiC芯片的规模化生产。此前，天科合达降低了2英寸SiC芯片的销售价格以满足客户对新一代大功率半导体器件的研发和商业化应用。

天科合达已成功实现了高质量3英寸导电型SiC芯片的量产，且正积极扩大产能。产质量量相对于美国、欧洲同类产品极具竞争性，平均微管密度低于10个/cm2、X-射线衍射摇摆曲线半高宽小于30弧秒、电阻率及芯片加工质量满足工业用户需求，适合制备新一代高性能肖特基二极管、金属半导体场效应晶体管和金属氧化物场效应晶体管等功率器件。

制备半导体功率器件仍主要应用大尺寸硅基衬底，其散热性以及与GaN基、SiC基外延膜的匹配性较差，难以用于制备新一代高性能功率器件。基于SiC优良的导热性以及电化学特性，3英寸导电型SiC芯片的产业化生产，无疑可促进高性能功率器件的研制和商业化应用，也可极大地节约能源。天科合达4英寸导电型SiC芯片的研发已取得实质性突破，目的在于进一步支持客户对于大尺寸SiC芯片的需求，相信天科合达4英寸晶圆产品不久将面市。

天科合达将参加2009年9月30日至10月2日的TAIWAN SEMICON 2009展会，位于台北世贸中心(TWTC) Hall 1，展位号1465。