威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化??（SiC）肖特基二极体。Vishay器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於提升开关电源设计能效和可靠性。

Vishay新型第三代1200 V SiC肖特基二极体采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流，有助於开关电源设计能效和可靠性。

新一代SiC二极体包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L??件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由於采用MPS结构利用激光退火背面减薄技术二极体电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25?C下典型反向漏电流仅为2.5 μA，降低了导通损失，确保系统轻载和空载期间的高能效。

二极体典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和 DC/DC超高?输出整流，适用於光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。器件工作温度可达+175。C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。器件符合RoHS标准，无卤素，具有高可靠性。新型SiC二极体现已提供样品并已实现量产。