飛利浦半導體日前宣佈成功研發出一項新的製程技術，能夠提供比競爭技術更低的成本來生產新一代行動通訊產品用高效能晶片。

代號為QUBiC4的新製程技術讓飛利浦能夠生產符合先進行動網路高速與低耗電需求的BiCMOS製程全矽化的射頻晶片產品，在QUBiC4技術推出之前，要達到這樣的效能要求必須要使用相當昂貴的製程，如矽鍺(SiGe)等。QUBiC4可以為現有的行動電話以及未來的第三代(3G)行動通訊技術帶來上市更快且成本更低的好處，同時帶來先進的無線應用，包括傳訊、網路瀏覽與串流視訊等。

「在行動通訊市場，成本是相當主要的考量，而導入先進行動通訊服務的主要關鍵則在於成本的控制，」Cahners In-Stat Group分析師Allen Nogee指出，「飛利浦半導體針對RF晶片所開發的新QUBiC4製程將帶給行動電話製造商能夠以吸引人的價格提供先進產品的彈性。」

「以成本考慮，，只要能夠提供所需的效能，行動電話製造商比較喜歡全矽化的解決方案，」飛利半導體先進技術總監Neil Morris表示，「透過QUBiC4製程技術的推出，我們將能夠提供給客戶開發新一代3G手機與設備的全矽化解決方案選擇，而且不需要犧性效能與可靠度的要求。」

QUBiC4為飛利浦半導體最新一代的"Quality BiCOMS"(QUBiC)製程技術，這項技術已經幫助飛利浦半導體在全球行動通信業界贏得RF技術領導供應商的聲譽，QUBiC4的目標市場為採用業界最新無線通訊標準，如GSM, DECT, CDMA 與 WCDMA等的手機製造商。

飛利浦半導體目前已經將QUBiC4導入商業生產，標準化產品預計在2001年第三季推出，目前也已經提供給業界領先的行動通訊公司採用新製程的測試晶片，同時實際的產品設計也已經在進行中，此外，飛利浦半導體也開發了能夠符合製造商客戶最新需求的設計元件庫與模擬工具。

為了滿足預計將會有大量市場需求的QUBiC4晶片產品，飛利浦半導體已經在產能擴充上做了大筆的投資，並在位於新墨西哥州的Albuquerque與紐約州的 Fishkill的晶圓廠加入新的QUBiC4製程支援。

飛利浦半導體的QUBiC4技術將能夠提供符合3G行動網路與先進多模式手機產品的需求，同時飛利浦半導體也正進行能夠讓需要更高資料傳輸率，如無線網路WLAN(Wireless LAN)等應用降低成本解決方案的開發，目前已經完成QUBiC4製程的矽鍺(SiGe)版本來滿足這樣的需求。「在我們先進的RF產品藍圖上同時擁有矽與矽鍺技術，將能夠讓我們提供給客戶在產品技術複雜度與成本考量上的彈性選擇。」Morris指出。