Intel今日（12/6）與工研院、經濟部技術處共同宣佈一項針對下世代記憶體技術的合作案，未來五年總投入金額共達一千五百萬美元。這是Intel在Ultrabook以及行動裝置的佈局，工研院將提供 IC 架構及軟體技術，目標是在五年內，將記憶體功耗節省至10倍、甚至百倍以上。

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Intel副總裁暨技術長，同時也是Intel Lab總監Justin Rattner表示，技術必須配合商業才能產生火花，Intel、工研院以及經濟部技術處將在未來五年內，三方各投入五百萬美元進行此技術研發。初步計畫是開發超快速且節能性高的記憶體技術，應用在Ultrabook以及平板電腦、智慧型手機等手持式裝置。

工研院資通所組長吳誠文表示，這項合作案談了一年多終於定案，決定在手持式裝置部份，利用TSV矽穿孔技術，以堆疊方式將處理器與記憶體結合，有效縮減硬體空間，並將傳輸速度與容量再向上推。其中技術最大的難處，在於記憶體與處理器兩者的耗電量以及速度有著相當大的落差。

吳誠文表示，除了三方共同投資的一千五百萬美元之外，並希望至少從第二年開始在企業界導入(投資)，目前並未設立資金門檻。工研院資通所組長吳誠文表示，未來晶圓製造產業的產業鏈可能有些變化，上下游任何業者，目前興趣最高的廠商是晶圓製造公司或IC設計業者等半導體產業鏈，手機相關業者反而興趣普普。未來新型態記憶體專利所有權屬於工研院，但如需使用到CPU相關專利，廠商仍必須付給Intel授權金。

目前22奈米Tri-Gate三閘極電晶體目前已經正在量產之中，等於在製程之戰拉大與台積電與三星的距離。Justin Rattner表示，這樣的鴻溝是其他廠商無法企及的，對於目前市場上傳言台積電與三星不想跟隨Intel的腳步，Justin Rattner顯然信心十足，他說，除了三閘極電晶體技術，Intel目前手上的光互連技術（Optical Interconnect），Computational Lighthorgraphy（光微影技術），以及High-K Germanium技術甚至Nanowires奈米線技術等，這些投資是非常鉅額的，任何其他製造商若想建立自己的製程標準，他認為「危險」，且「過於昂貴」。

不過，針對這項合作，畢竟工研院是在技術面進行整合，台灣方面並無法與Intel獲得任何承諾，五年後此項技術會是唯一的標準。五年合作時間如技術演進殺出程咬金，其實難保會再有下一個「Wimax門」出現。