應用材料公司宣佈推出Oasis Clean 300mm單晶圓清洗設備，為半導體業晶圓清洗製程帶來更先進的技術能力與高生產力。Oasis Clean系統可取代傳統批次式（batch）濕式系統，為將近50道電晶體製造所需的關鍵清洗步驟提供全新的技術，將可協助客戶快速縮短生產週期與增強微粒移除能力，以支援130奈米以下世代的晶片製造。

Oasis Clean

應用材料副總裁與電晶體暨電容事業群總經理克利斯‧葛奈特（Chris Gronet）表示：「對應用材料而言，Oasis Clean開啟了一個快速成長的市場，其領先的製程技術，將可改善先進半導體晶片的生產良率與效能。過去三十餘年來，從10微米晶片製造世代開始，晶片製造商採用的清洗製程與化學品大同小異，但當製程推進至奈米世代，清洗步驟也不斷的增加時，就得要採用更快、更有效率的清洗步驟，以支援300mm元件製造的高生產力需求。」

應用材料Oasis Clean的晶圓清洗能力，可以在30秒內百分之百清除晶圓正反兩面的微粒。Oasis Clean採用單晶圓、多反應室的架構，與批次式技術相比，可縮短晶片製造商高達35%的生產週期，甚至更多，協助客戶加速新世代元件上市時程。

應用材料公司濕式清洗產品事業部總經理凱利‧楚門（Kelly Truman）表示：「由於具備優異的技術效能與高度生產彈性，我們相信晶片製造商未來將選用300mm單晶圓清洗技術。雖然對半導體業界來說，單晶圓清洗技術並非全新的概念，但Oasis Clean卻是第一個能夠滿足，甚至超越所有關鍵清洗要求的產品，而非僅為特殊應用。更重要的是，OasisClean具備與多種互補的製程技術的整合能力，可與蝕刻、閘極介質沉積製程進行整合，提供晶圓表面環境良好的控制能力，與晶圓廠簡易的時間管理。」

Oasis Clean 精簡的機台尺寸提供晶圓製造商在有限的空間裡，較其他清洗設備獲得更多的產出。每個清洗模組均配備有水平旋轉的製程與獨到的全覆式超音波，將更有效率的清除微粒，改善客戶的生產良率，同時又能確保極低的矽及氧化矽消耗，支援元件尺寸持續縮小的需求。創新的單一步驟化學品功能，在每一個反應室內可完成清洗的所有步驟，並在每片晶圓處理時均使用新的化學品，以避免晶片之間的交互污染。此外，Oasis Clean亦可減少純水的消耗量，僅為批次式設備的十分之一。

根據市場調查公司Dataquest指出，300mm濕式清洗設備市場規模將由2002年的4.2億美元，成長至2004年的10億美元。應用材料公司300mm Oasis Clean設備已經開始出貨至全球的客戶。