德州儀器（TI）日前宣佈，已成功利用標準CMOS邏輯製程技術生產64 Mbit鐵電隨機存取記憶體（FRAM），證明這項技術可在各種不同應用中，做為嵌入式快閃記憶體和嵌入式DRAM的低成本替代元件。把記憶體和處理器、週邊及其它各種零件整合至同一顆晶片中，即可減少系統零件數目和複雜性，同時提高系統效能，增加資料安全性。TI認為FRAM在許多方面都優於其它嵌入式記憶體，例如它的製造成本較低，功率消耗也較少。TI生產的64 Mbit FRAM元件也包含業界最小的FRAM記憶元（cell），只有0.54平方微米。

TI表示，FRAM提供快速存取時間、低功率消耗、很小的記憶元面積和很低的製造成本，這表示它可同時支援程式和資料應用，是各種無線產品的理想記憶元件，其它潛在市場應用還包括寬頻存取、消費性電子和TI種類廣泛的可程式DSP。FRAM有潛力成為最理想的資料非揮發性記憶體，並在2005年時為各種產品廣泛採用，這證明只要結合半導體材料研究和創新產品設計，即可為業界帶來重大技術進步，TI相信FRAM將使得嵌入式記憶體產品出現巨大改變。