無線通訊應用領域專用射頻積體電路(RFIC)供應商RF Micro Devices, Inc.，近日宣佈一項達8千萬美元之晶圓設備擴充計畫。此擴充位於該公司的Greensboro園區，預計將增加RFMD的晶圓製造產能最可高達40%–使得應用RFMD領導市場的GaAs HBT及GaAs pHEMT製程技術之無線市場能持續健全成長。此擴充預期亦將降低RFMD的每晶圓成本，並提供可供應產能以提升GaAs pHEMT的內部生產–其為該公司市場領導傳輸模組的關鍵致能科技。

RFMD總裁暨執行長Bob Bruggeworth表示：「RFMD目前正進行此策略性的投資以利用全球對於GaAs技術快速成長的需求。我們是手機傳輸模組的領導廠商，並由兩個最大客戶之出貨而驅動著，我們預期我們的領導性將於今年更提升，因為我們為客戶增加了新產品，而我們在傳輸模組的成長，可部份歸因於針對GPRS及EDGE手機之RFMD POLARIS 2 TOTAL RADIO模組解決方案的成長需求。「我們同樣也是WCDMA功率放大器的領導者，並預期WCDMA將成為全球成長最快的空中介面標準。WCDMA手機具備多重功率放大器，其同樣促使全球對於GaAs的成長需求。最後，我們WLAN功率放大器的出貨以及前端模組皆持續成長，而我們預期802.11n–其運用多重輸入與多重輸出(multiple input multiple output ,MIMO)之技術–將成為GaAs需求的主要驅動因素，因其已被建立為筆記型電腦及手機之標準及加值功能。」