英特爾 (Intel)近日在開發者論壇(IDF)中表示,未來將把90奈米製程技術,納入矽鍺(SiGe)製程中,但是何種矽鍺製程,英特爾並未詳述。台積電曾於美國表示,將提供0.18微米製程的矽鍺代工服務。據了解,Intel以投資德國晶圓代工廠Communicant公司3.25億美元,台積電則從Conexant獲得矽鍺製程技術授權,並且推出0.35微米矽鍺服務,以生產高效能的通訊晶片。
本 文:英特爾 (Intel)近日在開發者論壇(IDF)中表示,未來將把90奈米製程技術,納入矽鍺(SiGe)製程中,但是何種矽鍺製程,英特爾並未詳述。台積電曾於美國表示,將提供0.18微米製程的矽鍺代工服務。據了解,Intel以投資德國晶圓代工廠Communicant公司3.25億美元,台積電則從Conexant獲得矽鍺製程技術授權,並且推出0.35微米矽鍺服務,以生產高效能的通訊晶片。
Intel投資的Communicant已斥資13億美元興建8吋晶圓廠,預計2003年完工投產,目標市場即為矽鍺代工市場,技術製程則有BiCMOS、LDMOS等,估計月產能將有3萬片。台積電0.18微米的SiGe代工技術,則是採用BiCMOS製程,工作電壓為1.8V~3.3V,預計第四季試產原型晶片,明年第1季認證出貨。
台積電對通訊晶片生產,將以RF CMOS製程技術服務,漸漸將技術推至0.13微米以及90奈米製程技術。Conexant也計劃成為矽鍺晶圓代工廠,儘管如此,據了解台積電為提高矽鍺的競爭力,目前正努力爭取Conexant的技術授權。