科技部產學大聯盟近期的半導體研發突破在國際大放異彩。臺大與台積電共同投入超3奈米前瞻半導體技術，並與麻省理工學院(MIT)合作研究新穎材料，三方共同發表突破二維材料缺陷的創新技術，首度提出利用「半金屬鉍(Bi)」作為二維材料的接觸電極，成功大幅降低電阻並提高電流，使其效能幾乎與矽一致，這將有助實現未來1nm以下原子級電晶體的願景，本項研究成果更刊登於《Nature》國際頂尖學術期刊。

本次由產學大聯盟計畫團隊臺大電機系暨光電所吳志毅教授、臺大光電所畢業的周昂昇博士與MIT畢業的沈品均博士共同合作研究，研發成果刊於《Nature》期刊，獲得了國際的高度肯定與鼓勵。該成果能替下世代晶片提供省電、高速等絕佳條件，目前相關技術還處於研究階段，未來可望投入人工智慧、電動車、疾病預測等新興科技的應用=。

科技部致力推動基礎及應用科技研究，已累積深厚科研能量，自102年推動「產學大聯盟」計畫，透過業界出題、學界解題，鼓勵頂尖產學團隊結盟，聚焦下世代產業前瞻技術研發，讓台灣的優勢產業持續維持世界領先地位。

產學大聯盟吸引國內具產業代表性之業者台積電、聯發科、長春集團、廣達、中華電信、中鋼等參與，累計吸引業界投入研發經費25.89億元，研究領域涵蓋前瞻半導體、高值化鋼鐵製程、綠色化工、5G無線/寬網及先進行動通訊技術等。自102年至110年4月，累積研發成果衍生申請專利561件，共培育碩博士生3,483人次，促進畢業後投入相關領域業界1,210人，有416人直接任職合作企業。

其中，臺大－台積電團隊自計畫推動起即合作投入「7-5nm半導體技術節點研究」，107年接續投入第二期「超3奈米前瞻半導體技術研究」，雙方合作邁入了第8年，科技部補助計畫研究經費達4.9億元，長期支持先進研發設備及研發人才培育等資金，不僅促進各面向半導體技術研究有長足的發展，更助臺大、台積電雙方建立優良穩固的產學合作模式與默契。