Epion Corporation為氣體團簇離子束（Gas Cluster lon Beam；GCIB）設備開發商，日前與代理商帆宣系統科技合作，推廣透過GCIB新的製程技術而開發出來的離子植入儀器－nFusion，功能在於使矽晶圓的摻雜過程（Doping）中，能夠擺脫過去以單離子植入的方式混合矽晶圓，透過nFusion能讓離子變成離子團，由離子團植入進行混合的優點在於分佈較平均，並且可以讓混合層更貼近表面，Epion 的市場部副總Wes Skinner表示，因為目前半導體的目標是越來越小，所以混何層也要越來越淺。

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nFusion能讓離子呈現植入（infusion）擴散效果，如是單一離子，在植入矽晶圓時，會呈現類似皮球往下丟的狀況，來回跳動且不易控制深淺度，而nFusion讓離子變成離子團，往下植入時是以擴散的方式，就像球用球袋綁住，能夠穩定控制深淺度，並且讓離子團只停留在表面。

nFusion以等效180mA的束電流產生能量極低的離子束。與傳統離子注入相比，取得10被以上的改進，非常適合低能量注入。透過這種改進可以高吞吐量實現非常高的摻雜劑量，同時仍距表面很近，從而保持在高品質的狀況下增加生產效率，摻雜成品率分析顯示，所有摻雜劑都留在矽裡，沒有摻雜祭由於晶圓清洗或外擴散而失去，僅以幾瓦的束能產生高效束電流，這點對於避免光致抗蝕劑過熱來說，相當重要。

GCIB最早在90年代之前在學界就已受到注目，Epion到2004時才將之引進半導體製程技術。目前台灣是帆宣代理，在推廣的過程中，帆宣表示所遭遇到挑戰與所有半導體面臨新技術的挑戰一樣，如何整合入目前的生產流程。現在與台灣的晶圓廠之間還在研發試用階段，尚未得到採納。