国内闪存(Flash)大厂旺宏电子公司为取得未来进入系统单芯片(SOC)竞争优势，也加入新世代非挥发性内存-磁阻式随机存取内存(MRAM)及铁电随机存取内存(FRAM)开发，并计划赶在2004年前导入量产，以免被IBM及Infineon等国际整合组件大厂(IDM)抢食先机。

旺宏为达成上述目标，特别网罗在美国贝尔实验室资深工程师刘瑞琛回国，并成立前瞻技术实验室，由刘瑞琛领军进行MRAM及FRAM开发。

刘瑞琛表示，MRAM及FRAM都是非挥发性内存，因这两种内存具备速度快、低耗电，尤其是进入SOC，这两种内存可采用与逻辑IC相同的精密制程，将成SOC的核心内存，因而其发展近来受到国际重视。其中MRAM，包括IBM、Infineon、摩托罗拉、HP及南韩三星等大厂，都积极投入，去年12月IBM决定与Infineon合作，并预定在2004年推出256Mb的产品。