德国约翰古腾堡大学（JGU）研究团队携手法国Antaios公司，在自旋轨道扭矩（SOT）磁性随机存取记忆体（MRAM）技术上取得关键性进展。这项创新技术展现了取代现有电脑快取记忆体的潜力，为高效能运算开辟新道路。

SOT-MRAM以其卓越的能源效率、非挥发性及高速效能着称。研究团队透过利用轨道霍尔效应（OHE），成功开发出新型磁性材料，显着降低了写入所需的输入电流，并确保了数据储存的稳定性与持久性。

此研究的技术亮点包含能源效率大幅提升，相比传统记忆体技术，新 SOT-MRAM 装置在工业规模下实现了超过 50% 的能耗降低；效能显着增强， 数据储存效率提高 30%，读写速度更快更可靠；电流需求降低， 磁性切换所需的输入电流减少 20%，进一步降低能耗。此外，也 实现了超过十年的数据储存稳定性。

这项突破性技术的关键在於利用了轨道霍尔效应，在不依赖昂贵稀有材料的前提下，实现了更高的能源效率。研究人员巧妙地利用电子轨道电流，取代了传统的自旋电流，从而降低了对高成本材料的依赖。

研究人员表示，这项合作成果不仅在基础科学上令人着迷，更可能对 GreenIT 产业产生深远影响。透过创新物理机制开发更高效的技术，降低能源消耗是研究的重要目标。