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立锜与宜特共同揭示MEMS G-Sensor检测合作成果
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2015年01月13日 星期二

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立锜科技与宜特科技宣布一项MEMS检测合作成果,双方针对立锜积极开发的MEMS G-Sensor提出最佳分析除错解决方案。基于宜特建构出的一代MEMS G-Sensor标准失效分析流程,2013年双方已有成功的合作经验;2014年在二代MEMS分析技术,再度携手合作,顺利协助立锜在MEMS设计时间厘清失效因素,此分析技术更获得ISQED(国际质量电子设计研讨会)认可。

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随智能型产品、穿戴式装置与物联网的需求下,MEMS G-Sensor组件需求量逐步放大,IC设计公司积极布局,渴望取得市场先机,占有一席之地。

「立锜是IC设计公司中积极布局MEMS的厂商之一,宜特与立锜长期共同合作,从产品研发至试产阶段,厘清MEMS G-Sensor失效因素,提供全方位整合服务,协助立锜加快设计、产品设计定案与产品上市的时程。」宜特科技故障分析工程处处长许如宏表示。

许如宏进一步指出,宜特运用二代MEMS分析技术,顺利的将MEMS G-Sensor「全质量块」在无应力状态下移除,移除后即观察到底层「固定质量块」下方的接合处毁损;该失效异常点与电子异常讯号,经检测后为一致,即为失效真因。

立锜科技品保处处长翼景云表示:「双方长期在产品可靠度与失效分析的合作基础上,此次立锜在投入MEMS G-Sensor产品开发之时,在设计时间即紧密合作,宜特提供许多专业性的建议与支持,其快速且完整的MEMS最佳解决方案,实是立锜在MEMS产品验证上的重要伙伴之一。」(编辑部陈复霞整理)

图:在iST宜特MEMS二代失效分析下,可观察出失效G-Sensor组件结构接合处毁损。

關鍵字: MEMS  G-Sensor  穿戴式装置  物联网  IC设计  立锜  宜特  存储元件  电子感测组件 
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