明导国际(Mentor Graphics) 日前宣布，该公司已大幅加强CalibreO系列的解析度强化技术(RET)工具，确保Calibre解析度强化技术的建模精准度(modeling accuracy) 有效满足未来三个技术节点需求。这些加强功能大幅改善次100奈米解析度强化技术的建模精准度，若想透过提高晶片良率和缩短从设计到晶片制造的所须时间(time-to-silicon) 来增加客户获利能力，它们就是不可或缺的要件，特别是对于要求严格的65奈米和更先进制程。

明导国际表示，为协助IC制造商处理次波长大小的电路结构，负责将电路图形转印至晶片表面的复杂微影系统必须满足严格要求；在次100奈米领域，制程适用范围(process window ，可制造良好晶片的制程参数范围) 会大幅缩小，解析度强化技术的建模精准度也变得更加重要。进入次100奈米世代后，重要IC电路结构的大小只有曝光设备波长的三分之一，此时要确保图案转印的传真度，使它不受转印过程失真的影响，微影系统就必须提供精准的解析度强化技术建模能力。

执行全晶片解析度强化作业之前，必须先完成重要模型校准和模型建立等多个步骤。在模型设定过程里，使用者必须输入许多重要参数，例如测试图案晶片量测值、曝光波长、数值孔径(NA)、标准差(sigma) 以及照明模式(illumination pattern)。今天宣布推出的功能加强包括Calibre VT5 (Variable Threshold - version 5) 以及TCCcalc (向量式薄膜光学计算)，它们是对Calibre RET的晶片建模和光学制程修正(OPC) 技术基础所做的重要改进。实际应用时，首先让新TCCcalc光学模型配适(fitted) 所给的数据，光阻和蚀刻效应则由新推出的VT5模型来处理，然后透过晶片比对来验证模型的预测能力，再把结果交给VT5使用，并搭配其它整批作业的全晶片解析度加强软体，即可用于生产制造。

重要的建模技术

VT5和TCCcalc是超过18个月的工程努力结果，目前正在世界主要的95和65奈米研发实验室接受户测试(beta test)，包括极高数值孔径的光圈效果支援以及多重曝光解析度加强方法(multi-exposure RET) 和不规则形状的光阻／蚀刻效果。此外，Calibre RET工具也增加其它数种更强大的深次微米功能，包括特殊照明支援和影像最佳化演算法，当它们搭配VT5和TCCcalc时，即可在未来十年提供世界水准的解析度强化技术精准度。

AMD的Chris Spence表示，自从Mentor于1999年推出Calibre RET产品开始，他们就在使用这些工具。结合强大的阶层式设计规则检查(DRC) 软体和以实体为基础的光学制程修正模型，使他们得以发展最佳化而精准的解决方案，满足他们对于光学制程修正的要求。 VT5和TCCcalc还能进一步提高光学制程修正的精准度，支援他们的90奈米量产以及65奈米研发工作。

Mentor Graphics设计及制造部门总经理Joseph Sawicki表示，全世界最大的25家半导体公司中，已有19家采用Calibre工具，这是因为Mentor不断提供业界最好的效能、处理容量和良率加强。透过对于解析度强化技术的改进，再加上Mentor已开始提供从设计到制造的单一流程，使得Calibre成为目前市场上最快速、精确而完整的实体验证和次波长制造解决方案。