工商时报报导，全球第一大内存芯片制造商南韩三星电子日前发表全球首颗以70奈米制程生产的4Gb NAND规格闪存（Flash）新产品，该公司指出，由于Flash需求成长快速，该公司内存部门第三及第四季营业毛利率将「大幅走高」。

该报导指出，三星电子周一发表全球首颗以70奈米制程技术制造的4Gb NAND规格的闪存及80奈米技术的DRAM新产品，该公司表示，在2003年底前，70％的三星电子芯片将以0.1微米以下的制程技术生产。

而目前针对严重缺货的Flash市场高达40％的供需缺口，三星目前只能应付五分之三的订单，预计市场的强力需求将可延烧至2005年。

三星电子半导体业务含盖内存芯片、面板及系统大规模集成电路，半导体部门第二季营业毛利率达15％。三星表示，由于预估内存芯片市场将持续扩张，加上该公司转进先进制程的节省成本效益显现，预估三星电子下半年内存业务的营业毛利将可较第二季「强劲成长」。三星表示第二季内存业务的营业毛利率高于15％，但确切数字要在十月公布的第三季财报中才会公布。