半导体龙头英特尔（Intel）在65奈米半导体制程技术的开发已有实际成果，据网站Channel Times报导，该公司已宣布成功采用65奈米制程技术试产SRAM，并可在2005年导入量产；而英特尔在本季推出的Pentium 4芯片上也已采用90奈米制程技术。

该报导指出英特尔的新世代65奈米节点技术，在整合低介电质（Low-K）材料、高速铜导线及应变硅晶（Strained Silicon）等技术；且该公司确定可在2005年以65奈米制程在12吋晶圆上生产SRAM。

自2002年开始，全球各大半导体厂或晶圆代工厂相继投入以90奈米制程生产芯片的技术开发，多数厂商多已在2003年宣称技术成熟，可投入量产；而英特尔65奈米SRAM试产成功的宣示，代表其技术仍超前其他竞争者甚远，多数业者均认为必须等到45奈米节点时，方须用到应变硅晶的技术。