智能型手机和媒体平板装置大量传输数据的应用趋势，正改变行动DRAM内存的发展样貌，LPDDR2的出货量很有机会在今年底前取代LPDDR1，成为行动DRAM的主流内存规格。但其他新兴技术急起直追的态势，也值得密切注意。

根据市调机构iSuppli预估，今年LPDDR2将成为在行动DRAM领域占主导地位的热门技术，预计在第2季之前，将可占行动DRAM市场40％的市占率。预计到第4季时，在媒体平板装置的带动下，LPDDR2可超越LPDDR1，市占率将达58％。

行动DRAM市场今年可望呈现活络的态势，三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）半导体、尔必达（Elpidia）内存公司和美光（Micron）科技这四大家厂商，都积极关注行动DRAM市场的走向。

不同于标准DRAM产品，行动DRAM更着重于降低功耗、减少散热以及缩小空间等关键功能和特性，来满足智能型手机、数字相机、可携式媒体播放器、可携式游戏机、平板装置和其他消费电子产品的需求。

不过行动DRAM也面临如何提升效能的关键挑战，尽管LPDDR2相对适用于手机和平板装置，但是功耗和传输带宽依旧是备受关注的核心。iSuppli举例指出，当系统在1.2V工作电压下运作时，相较于LPDDR1，LPDDR2在每单位数据传输可省下大约50％的功耗。不过未来当行动装置以10倍的单位数据传输运作时，LPDDR2所能省下的功耗就变得很少。

LPDDR2的数据传输率可达8.5Gb/s，工作频率可达1066MHz，相较于LPDDR1无疑是更为优秀的效能表现。例如三星公布最新款传输速率可达4Gb/s的LPDDR2，就采用30奈米制程，工作频率可达1066MHz，1GB封装容量、传速率可达8Gb/s的产品，已在3月底量产。但这对于支持不久将来的智能型手机产品而言，效能还不够；ISuppli就指出，业界所希望的数据传输率要能达到12.8GB/s的水平，LPDDR2的工作频率势必要更往上提升，但这对于LPDDR2来说，可行性并不高，效能已经面临天花板局限。

也因此，iSuppli指出，其他可替代LPDDR2的新兴行动DRAM技术依旧被市场所关注，例如Rambus主抓的Mobile XDR、SPMT协会所主导强调专利免费的SPMT（Serial Port Memory Technology）接口规格、Wide I/O、LPDDR3和DDR4等。推动SPMT接口的大厂包括三星、Silicon Image、安谋（ARM）、海力士、LG、迈威尔（Marvell）等。

这五大新兴技术都强调具备比LPDDR2更低的功耗特性，传输速率也几乎可达到12.8Gb/s的等级。除了Mobile XDR之外，其他新兴技术不用专利费用，3月初Toshiba已经取得Rambus长达5年的Mobile XDR专利授权。Mobile XDR和SPMT短期内可进入商业化阶段，LPDDR3的规格则尚未底定，至于DDR4要到2013年才会有具体的成果出现，LPDDR3和DDR4都不能采用LPDDR2的内核，也与既有的内存测试流程不兼容。

至于Wide I/O宣称可直接在硅晶层链接DRAM内核的特性。三星电子在3月初已经采用50奈米技术开发出Wide I/O接口的行动DRAM样品，传输速率可达12.8Gb/s，功耗更可大幅降低87％，三星电子并预计到2013年开发出20奈米制程、4GB封装容量的Wide I/O行动DRAM样品。Mobile XDR和Wide I/O后来居上的气势，不容小觑。