受到DRAM厂的DDR及DDR2产能调配，以及DRAM大厂的DRAM及NAND闪存的产能排挤等因素影响，四月以来DRAM现货价格明显向上拉高，其中又以DDR价格上涨动力最强，有效测试（eTT）256Mb DDR十八日单日就大涨逾5％收2.35美元。

不过NAND闪存价格却持续疲弱，不仅现货价全面走跌，四月合约价更出现重挫35％以上的崩跌现象。集邦科技表示，DRAM在供给不足市况中，价格仍会涨，NAND则是供给过剩，价格未见止跌迹象。

虽然第二季是传统个人计算机市场淡季，但是DRAM价格走势却是异常强劲，除了英特尔出清旧款865芯片组库存，刺激DDR市场需求成长外，DRAM厂第一季大量将DDR产能转向生产DDR2，已在近期造成DDR供给量严重吃紧，所以256Mb DDR近二周内涨势强劲，现货价已拉高至2.3美元以上，现货价与合约价间也形成代表景气多头的黄金交叉。

未来主流的DDR2，近期来自OEM计算机大厂的需求强劲，但现货市场的需求却还未被刺激出来。南亚科技副总经理白培霖说，OEM计算机大厂已大量采用英特尔支持DDR2的新芯片平台，对DDR2的需求量会愈来愈大，但对价格敏感的现货市场，则要等到中低价位的超威支持DDR2的AM2平台上市后，市场需求才会转强。由于国内外DRAM厂今年的位成长率远低于历史平均水平，DDR2合约价未来大涨机率很高。

相较于DRAM热络市况，NAND闪存市场却还身陷价格崩跌的阴霾中。根据集邦科技统计，四月份主流容量的2Gb、4Gb、8Gb NAND闪存合约价，较三月份大跌逾35％，且合约价平均来看均低于现货价，出现约二成的价差空间。虽然近来现货价有持稳迹象，不过在合约价开低后，合约客户在现货市场套利的机率大增，现货价看来还有下跌空间。

集邦科技表示，NAND闪存合约价大跌，主因在于供货商三星、东芝、Hynix等的90奈米及70奈米良率大幅拉高，导致出货量在近几周内大量涌现，供给过剩的激烈竞争，自然会造成价格出现崩跌。

不过随着日本四月底的黄金周假期、大陆五一长假等假期将至，预计会带动MP3播放器、数字相机等消费性电子产品销售量，也会刺激出NAND庞大需求，所以NAND现货市场交易量能已经开始放大，整个市场景气应可在第二季筑底。