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奇梦达宣布突破性的30奈米世代技术蓝图
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2008年02月28日 星期四

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奇梦达公司宣布先进的技术蓝图,此技术可达30奈米世代,并在cell尺寸可至4F²。奇梦达的创新Buried Wordline技术结合高效能、低功耗及小芯片尺寸的特性,再次拓展公司的多元化产品组合。奇梦达目前推出此尖端技术的65奈米制程,计划在2008年下半年开始生产1Gbit DDR2产品。

奇梦达公司总裁暨执行长罗建华(Kin Wah Loh)表示:「这项新的技术将能改善生产力和位成本至本公司前所未有的水平。我们是业界第一家宣布30奈米世代的技术蓝图的厂商,且让cell尺寸能够小到4F²。这个技术的推出是我们做为领导内存产品开发的领导者,持续创新的结果。这也有助于我们开发新的合作机会。」

奇梦达的目标是于2009年下半年开始量产46奈米Buried Wordline DRAM技术。与58奈米沟槽式技术相比,此46奈米的Buried Wordline DRAM技术会提供每晶圆超过两倍以上的位。公司预计于2009及2010会计年度,将由自有资金来做为制程转换的投资,此一次性约1亿欧元的投资,将运用于转换现有的沟槽产能至Buried Wordline技术。奇梦达运用Buried Wordline的技术和精简的制程,加上主流的堆栈式电容,使得这项制程转换仅需较低的投资金额。

關鍵字: 30奈米  DDR2  奇夢達  罗建华  静态随机存取内存 
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