半导体表面处理技术与设备供货商FSI International，宣布推出镍铂去除制程（nickel-platinum strip process）PlatNiStrip；该技术可协助半导体厂商在65奈米技术节点建置自我对准金属硅化结构（salicide formation）。FSI是利用该公司ZETA喷雾清洗设备发展出这种制程技术，并与多家重要半导体厂商合作利用65奈米试产芯片验证新制程。这种低成本制程可以导入标准ZETA设备，并与业界标准化合物搭配使用。

FSI表示，半导体厂商原想使用硅化镍在65奈米节点建置salicide结构，但硅化镍的热稳定性却无法确保每次都足以承受整合可能产生的温度。研究人员发现只要约5％的铂，硅化物薄膜的热稳定性就会大幅提高，而硫酸加过氧化氢（sulfuric acid-hydrogen peroxide）溶液等传统镍金属去除法并不能有效去除铂金属，因而导致晶圆表面会出现铂残留物。

而FSI的PlatNiStrip制程技术是一种就地混合（point-of-use blended）酸性溶液，它能同时去除镍和铂，没有任何残留物，对于硅化物、氧化物和氮化物也具备高选择性，使得硅化镍铂薄膜的整合得以实现。而ZETA设备原本就很适合这项应用，因其专属化合物混合和输送技术可确保稳定一致的蚀刻速率和选择性，进而得到稳定可靠的制程效能。

ZETA设备为8吋和12吋晶圆提供全自动化机台配置，8吋和6吋晶圆则为半自动化机台配置。ZETA设备已证明能够支持各种应用，包含前段制程的光阻剂去除和电浆灰化后清洗、后段制程的电浆灰化后清洗、salicide去除、晶圆凸块和晶圆回收（wafer reclaim）。这套设备采用离心喷雾技术，它会在充满氮气的密闭反应室内以干进干出的方式完成晶圆处理。